용인음주운전변호사 노동부 ‘심우정 전 검찰총장 딸 채용절차법 위반’ 판단

이길중 0 0 2시간전

용인음주운전변호사 고용노동부는 국립외교원이 심우정 전 검찰총장 딸을 채용하는 과정에서 채용절차법을 위반했다고 판단했다. 다만 외교부의 채용절차법 위반 행위는 발견되지 않았고, 채용 당시 국립외교원과 외교부가 채용을 강요했는지는 판단할 수 없다고 봤다.
10일 국회 환경노동위원회 소속 김주영 더불어민주당 의원실이 노동부로부터 받은 자료를 보면 서울지방고용노동청은 지난달 13일 이 같은 조사 결과를 신고인과 피신고인에게 통보했다.
앞서 민주당은 심 전 총장 딸 A씨가 2024년 국립외교원 기간제 연구원, 2025년 외교부 공무직 연구원으로 각각 채용되는 과정에서 특혜를 받았다는 의혹을 제기했다. 노동청은 조사 결과 국립외교원이 채용공고에 ‘석사학위 소지자 또는 학사학위 소지 후 2년 이상 관련 분야 근무자’로 명시했는데, A씨가 ‘석사학위 예정자’인데도 지원해 합격한 것이 채용절차법 위반에 해당한다고 봤다.
노동청은 “각 채용 단계는 이전 단계의 적격·합격 요건 충족을 전제로 진행되므로 최종합격자 발표 이후 ‘채용일’을 기준으로 한 자격 요건 적용은 전형 단계의 취지와 구직자의 채용 절차에 대한 신뢰성 및 예측 가능성 등에 반하게 된다”며 “자의적 기준을 설정한 것으로 채용공고 내용의 변경에 해당한다”고 했다. 노동청은 “‘석사학위 소지자’ 다수가 지원하였음에도 불구하고 ‘석사학위 예정자’까지 포함해야 할 만큼의 불가피한 사유 등이 있었다고 보기 어렵고, 석사학위 예정자의 지원에 대해 채용공고에 명시하지도 않는 등 채용공고를 변경한 행위에 정당한 사유가 있었다고 보기 어려운 점 등을 종합하여 볼 때 채용절차법 제4조 제2항을 위반한 것으로 판단된다”고 했다. 다만 노동청은 박철희 당시 국립외교원장이 채용을 강요했는지에 대해선 “객관적 물증이나 구체적 진술 및 정황 등이 발견되지 않았으므로 채용 강요 여부를 판단할 수 없다”고 했다.
외교부 공무직 연구원 채용 과정에선 채용절차법 위반 행위가 확인되지 않았다. 노동청은 “적격자가 없어 재공고를 통해 새롭게 자격요건을 변경하여 구직자를 선발하는 것은 채용권자의 인사재량권 범위 내의 사항으로 채용절차법을 위반하였다고 보기 어렵다”고 했다.
노동청은 국립외교원의 채용절차법 위반에 대해 지난 7월 법무부에 ‘국가기관을 대상으로 과태료 부과가 가능한지’를 질의하고 회신을 기다리고 있다. 고위공직자범죄수사처도 이 사건을 수사 중이다.
SK하이닉스가 세계 최초로 인공지능(AI)용 초고성능 고대역폭 메모리(HBM4) 개발을 마무리하고 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다.
HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품이다. AI 수요의 폭발적 증가로 인기가 치솟은 엔비디아의 AI 칩에 붙어 데이터를 빠른 속도로 저장 및 처리해주는 역할을 한다. SK하이닉스는 엔비디아에 현재 시장 주류인 5세대 HBM3E을 공급해왔다.
이번에 개발이 완료된 HBM4는 이전 세대인 HBM3E보다 2배 늘어난 2048개 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 끌어올린 것이 특징이다. SK하이닉스는 이를 통해 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현했다고 설명한다.
데이터 처리량이 빠르게 증가하는 데다 데이터센터는 막대한 전력을 소모하는 만큼 메모리 전력 효율 확보는 중요한 요소로 꼽혀왔다. SK하이닉스는 이 제품을 고객 시스템에 도입할 경우 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 높일 수 있어 데이터 병목 현상을 해소하면서 데이터센터 전력 비용도 크게 낮출 수 있을 것으로 기대한다.
개발을 이끈 SK하이닉스 조주환 부사장은 “HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것”이라며 “고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것”이라고 밝혔다.
HBM4은 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현, 국제반도체표준현의기구(JEDEC)의 HBM4 표준 동작 속도(8Gbps)를 뛰어넘었다.
SK하이닉스는 HBM4 개발에 자체 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 위험도 최소화했다. MR-MUF 공정은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호제를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다.
SK하이닉스 김주선 AI 인프라 사장은 “이번 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점이나 AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “SK하이닉스는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해가겠다”고 말했다.